① 無塵車間的安全要求
一、無塵室須知
1. 進入無塵室前，必須知會管理人，並通過基本訓練。
2. 進入無塵室嚴禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報章，雜志，鉛筆...等)不可攜入，並嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進入無塵室前，需在規定之處所脫鞋，將鞋置於鞋櫃內，外衣置於衣櫃內，私人物品置於私人櫃內，櫃內不可放置食物。
4.進入無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經空氣洗塵室洗塵，並踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進入。
5. 戴口罩時，應將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時污染晶元。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應先整理服裝以及頭發，以免著上無塵衣後，不得整理又感不適。
7. 整肅儀容後，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發必須完全覆蓋在帽內，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散於兩肩之上，穿上工作衣後，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥後，再著無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應注意帽之下擺應保平整之狀態，無塵衣不可反穿。
9. 穿著無塵衣後，才著鞋套，拉上鞋套並將鞋套整平，確實蓋在褲管之上。
10. 戴手套時應避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套後，應將手套之手腕置於衣袖內，以隔絕污染源。
11. 無塵衣著妥後，經洗塵，並踩踏除塵毯，方得進入無塵室。
12. 不論進入或離開無塵室，須按規定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區域為之，尤不可在無塵室內邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時，應即換新。
14. 脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。
15. 脫下之無塵衣應吊好，並放於更衣室內上層櫃子中;鞋套應放置於吊好的無塵衣下方。
16. 更衣室內小櫃中，除了放置無塵衣等規定物品外，不得放置其它物品。
17. 除規定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置於規定處所。
19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重復使用。
20. 任何東西進入無塵室，必須用灑精擦拭乾凈。
21. 任何設備的進入，請知會管理人，在無塵室外擦拭乾凈，方可進入。
22. 未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當處理，例如關閉水、電、氣體等開關。
23. 無塵室內絕對不可動火，以免發生意外。
二、無塵室操作須知
1. 處理晶元時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持晶元，請勿以手指或其它任何東西接觸晶元，遭碰觸污染過的晶元須經清洗，方得繼續使用：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持晶元端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2) 晶元清洗後進行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把晶元放置於石英舟上，准備進爐管時，若發現所用鑷子有污損現象或晶元上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將晶元重新清洗，並立即更換干凈的鑷子使用。
2. 晶元必須放置盒中，蓋起來存放於規定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在晶元上談話，以防止唾液濺於晶元上，在晶元進擴散爐前，請特別注意，防止上述動作產生，若晶元上沾有纖維屑時，用氮氣槍噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出晶元時，必須垂直向上挾起，避免刮傷晶元，顯微鏡鏡頭確已離晶元，方可從吸座上移走晶元。
5. 晶元上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鑽石刀在晶元上刻記。
6. 操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水槽。
7. 使用化學站或烤箱處理晶元時，務必將晶元置放於鐵弗龍晶舟內，不可使用塑料盒。
8. 擺置晶元於石英舟時，若晶元掉落地上或手中則必須重新清洗晶元，然後再進氧化爐。
9. 請勿觸摸晶元盒內部，如被碰觸或有碎晶元污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置於操作台，手套若燒焦、磨破或纖維質變多必須換新。
11. 非經指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的味道或反應異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關人員。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務必立刻告知負責人員或老師。
14. 晶元盒進出無塵室須保持干凈，並以保鮮膜封裝，違者不得進入。
15. 無塵室內一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區操作須知
1. 濕度及溫度會影響對准工作，在黃光區應注意溫度及濕度，並應減少對准機附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2. 上妥光阻尚未曝光完成之晶元，不得攜出黃光區以免感光。
3. 己上妥光阻，而在等待對准曝光之晶元，應放置於不透明之藍黑色晶盒之內， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光罩使用時應持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮氣槍吹之。
5. 曝光時，應避免用眼睛直視曝光機汞燈。
四、鑷子使用須知
1. 進入實驗室後，應先戴上手套後，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用干凈的鑷子，才可持取晶元，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3. 鑷子使用後，應放於各站規定處，不可任意放置，如有特殊製程用鑷子，使用後應自行保管，不可和實驗室內各站之鑷子混合使用。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取晶元。
5. 挾取晶元時，順序應由後向前挾取，放回晶元時，則由前向後放回，以免刮傷晶元表面。
6. 挾取晶元時，"短邊" (鋸狀頭)置於晶元正面，"長邊" (平頭)置於晶元背面，挾晶元空白部分，不可傷及晶元。
7. 嚴禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8. 鑷子僅可做為挾取晶元用，不準做其它用途。
五、化學葯品使用須知
1. 化學葯品的進出須登記，並知會管理人，並附上物質安全資料表（MSDS）於實驗室門口。
2. 使用化學葯品前，請詳讀物質安全資料表(MSDS)，並告知管理人。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進行換酸工作。
4. 不得任意打開酸瓶的蓋子，使用後立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時，千萬記得加酸於水，絕不可加水於酸。
6. 勿嘗任何化學葯品或以嗅覺來確定容器內之葯品。
7. 不明容器內為何種葯品時，切勿搖動或倒置該容器。
8. 所有化學葯品之作業均須在通風良好或排氣之處為之。
9. 操作各項酸液時須詳讀各操作規范。
10. 酸類可與鹼類共同存於有抽風設備的儲櫃，但絕不可與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶內，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內。
13. 勿任意更換容器內溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經許可後方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時，必須經評估後方可攜入，並請於容器上清楚標明容器內容物及保存期限。
15. 廢液處理：廢液分酸、鹼、氫氟酸、有機、等，分開處理並登記，回收桶標示清楚，廢液桶內含氫氟酸等酸鹼，絕對不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保安全，絕對不可用手觸碰，先將電源總開關與相關閥門關閉，再以無塵布或酸鹼吸附器處理之，並報備管理人。
六、化學工作站操作
1. 操作時須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2. 不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3. 添加任何溶液前，務必事先確認容器內溶劑方可添加。
4. 在化學工作站工作時應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化學槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險發生，另一方面亦減少污染機會。
5. 化學站不操作時，有蓋者應隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關關上。
6. 化學葯品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應即用水沖洗濺傷部位15分鍾以 上，且必須皮膚顏色恢復正常為止，並立刻安排急救處理。
7. 化學品外泄時應迅速反應，並做適當處理，若有需要撤離時應依指示撤離。
8. 各化學工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機台及工作台，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1. DIWater 5min
2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3. DIWater 5min
4. HF:H2O 10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5. DIWater 5min
6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7. DIWater 5min
8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9. DIWater 5min
10. Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水則先倒水，H2O2最後倒，數字比為體積比。
2. 有機與酸鹼絕對不可混合，操作平台也務必分開使用。
3. 酸鹼溶液等冷卻後倒入回收槽，並以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸鹼空瓶以水清洗後，並依塑料瓶，玻璃瓶分開置於室外回收筒。
5. 氫氟酸會腐蝕骨頭，若碰到立即用葡萄酸鈣加水塗抹，再用清水沖洗干凈，並就醫。碰到其它酸鹼則立即以DI Water大量沖洗。
6. 清洗後之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振盪。
9. 每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液，蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分酸、鹼、氫氟酸、電鍍、有機五種，分開回收並記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。
無塵室系統
使用操作方法
1. 首先打開控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調整，一般溫度控制為20℃ DB ，濕度控制為50% RH。
＊左側的控制器面板上電壓切換開關為【RU】，電流切換開關為【T】。右側的控制器面板上電壓切換開關為【RS】，電流切換開關為【OFF】。
2. 將箱型空氣調節機的送風關關打開，等送風穩定後再將冷氣暖氣開關打開，此時紅色燈會亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷氣的起動順序為壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節為指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分流開關AIR VALVE 為【ON】。
3. 無塵室使用完畢後，要先將箱型空氣調節機關閉，按【停止】鍵即可。
4. 再將控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關依序關閉。
氣體鋼瓶
使用操作方法
1. 用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開PURGE關閉。
2. 由黑色轉鈕調整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時針方向為增加，逆時針方向為減少。
3. 將N2鋼瓶調整為40psi（黃光室內為20psi）,AIR鋼瓶調整為80psi（黃光室內為60psi）。
4. 氣體鋼瓶使用完畢後，用把手順時針關閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關閉【PURGE】打開將管路內的氣體排出後將【PURGE】關閉。
純水系統
使用操作方法
1. 閥門控制
(1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。
(2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關。
(3) 閥門V9、V20為調壓作用，不可全開或全關。
(4) 閥門中V5為砂濾機之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2. 自動造水
步驟1：如上【閥門控制】將各球閥門開關定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關保持在【OFF】位置。
步驟3：將控制箱上【系統運轉】開關切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水。
步驟6：此時，PUMP1、PUMP2依序激活，系統正常造水，RO產水經管路進入儲水桶(TANK)，當水滿後控制箱上高液位指示燈亮，系統自動停機，並於儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。
3. 系統用水
將控制箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關切換至【用水】，此時PUMP3輸送泵浦激活，TANK內之純水經幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾後，供現場各使用點使用。
4. 夜間循環
控制箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關，主要在配合每日下班或連續假日停止供水後管路之衛生考慮，其步驟為:
(1) 停止供水59分鍾後，系統再自動供水1分鍾。
(2) 此後每隔59分鍾供水循環1分鍾至夜間循環【停】為止。
5. 系統偵測
本系統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作為系統運轉之控制，其功能如下:
壓力表1：砂濾機進水壓力
壓力表2：RO進水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進水壓力
壓力表5：供水迴流壓
流量計1：RO排水流量
流量計2：RO產水流量
另外，控制箱(機房)附有二段式LED導電度顯示屏，原水及產水分別切換顯示。
6. 系統維護
HF-RD系統，應定期更新之耗材:
(1) 砂濾機應定期逆時。
(2)預濾應每1-2個月更新。
(3)膜管應視其去除率及產水量做必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個月更新。
7. 故障排除
現 象 可能因素 排除方法
系統停機、系統無法激活 1. 外電源異常2. 系統運轉開關未按下3. 系統電路故障4. 馬達/泵浦故障 1. 檢查系統電源電路2. 按下系統運轉開關3. 通知廠商4. 更新馬達/泵浦
低產水量 1. 膜管排水量太高2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調整排水閥V92. 清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1. 樹脂功能下降2. RO去除率下降 1. 更換樹脂2. 更換RO膜組
光罩對准機
使用操作方法
曝光機簡介
在半導體製程中，塗布光阻後的晶元，須經UV紫外光照射曝光顯影，此台曝光機為OAI200系列，整合光罩對准、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
OAI200系列為一入門型光罩對准儀，可以手動操作更改各項使用參數，如曝光時間、曝光強度及曝光功率等等。對於中高階的線寬有很好的顯影效果，此系列最大可使用四吋的晶元，最大的曝光功率為1KW。
曝光機使用步驟
1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機下方延長線的紅色總開關，再開啟曝光機、顯微鏡。
2. 接上隧道式抽風馬達電源，進行曝光機抽風步驟，並檢查曝光機上方汞燈座後面進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣，則無法開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進風口有進氣後，才可開啟曝光機下方的汞燈電源供應器ON/OFF開關。
3. 按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鍾，此時電流值會上升〈代表汞燈點亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點亮。
4. 汞燈點亮後，至少須待機30分鍾，使Lightsource系統穩定。假使汞燈無法點亮，請不要作任何修護動作。
5. 待系統穩定後，把電源供應器上的電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀錄。
6. 旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下，對准三個基準點，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊ 先用氮氣吹光罩和MASK Holder，光罩正面朝下，對准黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個黑鐵邊。
＊ 檢查放置晶元的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破晶元。
7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置晶元到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住晶元，扳下【MASK FRAMEUP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8. 扳動台邊鈕(Ball LockButton)為Unlock，順時針方向慢慢旋轉旋轉鈕(Z knob)，使晶元基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可，然後逆時針旋轉ZKnob約15格，扳動台邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時針方向旋轉Zknob，會使放置晶元基座下降，其目的是為了作對准時，讓晶元和光罩有些許的距離，使晶元與光罩不會直接摩擦。
＊ 若不須對准時，可以不使用逆時針方向旋轉Z knob。
＊ 旋轉Zknob時，不論順時針或逆時針轉動，當皮帶打滑時，代表晶元基座已和光罩接觸，此時不可逆時針旋轉，而導致內部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9. 移動顯微鏡座，至光罩上方，作晶元與光罩的對准校正。如須調整晶元的位置，可使用晶元基座旁的微調桿，校正晶元座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機面板左側如下圖：
注意：
＊曝光秒數有兩種設定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當按下1000SEC時，計數器最大可設999秒的曝光時間；按下100SEC時，計數器最大可設99.9秒的曝光時間。
＊ 再設定曝光秒數時要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機左端底，後然將OAI 306 UVPOWERMETER放置於CHUNK上即可，完畢後按RESET，而且可多測幾個不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時間(SEC)即變可mJ的單位。
11. 設定好曝光秒數後，即可進行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則晶元和光罩之間會產生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的按鈕，此時基座才可移動，移至曝光機左端底，放開按鈕，則曝光機會自動進行曝光的動作。
13. 曝光完成後，即可將基座移回曝光機右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會充氮氣破光罩與晶元間的真空，方便使用者拿出晶元。
14. 逆時針旋轉Z knob，降下晶元基座至最低點。松開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動【SUBVAC.】為OFF，使用晶元夾取出晶元，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16. 如須進行再一次的曝光，則可重復上述步驟。
17. 完成所有的曝光程序後，先關掉顯微鏡光源產生器，再關掉汞燈電源供應器。〈關燈後一小時內不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉
18. 先關隧道式抽風馬達電源，關掉曝光機的開關【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關掉曝光機下方的延長線總開關。待曝光機冷卻後，最後再關掉牆上氮氣閥及空氣閥。
熱蒸鍍機
使用操作方法
A.開機步驟
1. 開機器背面的總電源開關。
2. 開冷卻水，需先激活D.I Water 系統。
3. 開RP，熱機2分鍾。
4. 開三向閥切至F.V的位置，等2分鍾。
5. 開DP，熱機30分鍾(熱機同時即可進行Sample 之清洗與裝載，以節省時間)。
B.裝載
1. 開Vent，進氣之後立刻關閉。
2. 開Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關Chamber，關門時務必注意門是否密合，因機器年久失修，通常須用手壓緊門的右上角。
C.抽真空
1. 初抽
(1)三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分鍾就切換到F.V一下，以免DP內的幫浦油氣分子擴散進入chamber中)。
(2) 真空計VAP-5顯示至5´10-2 torr時三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
(1) M.V ON，記錄時間。
(2) ION GAUGE ON，壓下Fil 點燃燈絲(需要低於10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2´10-5 Torr時，開始加入液態氮。
2. 壓力低於2´10-6 Torr時，記錄壓力及抽氣時間並關掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (確定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。
注意:
＊ 鍍金時，儀表上電流約100A，鍍Al時電流可稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高熱發出紅光時，應立即關閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。
＊ 空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈後即可打開Shutter，開始蒸鍍。
＊ 蒸鍍完成後，立刻關閉HeaterPower，等10~15分鍾讓BOAT冷卻及蒸鍍後的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷卻30~60分鍾。
5. 開Vent(進氣後立刻關閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關Chamber，注意將門關緊。
F.關機
1. 關F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之後關閉。
3. 開F.V，30秒後三向閥切至關閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關總電源。
6. 關冷卻水。
7. 關氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時，電流應緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。
＊ 若接續他人使用，液態氮可少灌一點兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管
使用操作方法
氧化爐管簡介
本實驗室所採用之氧化爐管為Lenton LTF1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區大於50cm，最高溫度可達1200°C並可連續24hr，最大操作溫度為1150°C，溫控方式採用PID微電腦自動溫度控制器。
目的
將硅晶元曝露在高溫且含氧的環境中一段時間後，我們可以在硅晶元的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。Switch在有電源供應時【l】將會發光，而氧化爐也將開始加熱。
＊如果過溫保護裝置是好的，請確定警報點的設定於目前的使用過程中為恰當地。如果過熱保護裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制操作中有警報一致的程序。
＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過3°C per min。
＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化爐時不要在最大溫度下關閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發生，並填寫操作記錄。
2. 檢查機台狀態
(1) 控制面板狀態：使用前先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。
(2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前後段爐溫差£40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 將晶元緩慢的推入爐管內。
4. 打開牆上H2、O2之開關和機房的氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下【HEAT】Switch為【l】，此時爐溫將從恆溫(400°C)慢慢加熱至標准製程溫度1100°C，升溫速率最大不能超過3°C per min。
7. 待爐溫降至恆溫後將晶元取出。
8. 關閉H2、O2 。
9. 關閉爐管後端H2之開關及牆上之開關和機房的氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關機動作。
11. 填寫操作記錄之終了時間和異常保護及說明。
塗布機
使用操作方法
1. 首先將PUMP的電源插頭插入塗布機後面的電源插座。
2. 將塗布機的插頭插入110V的電源插座，然後按下【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的轉速及時間，本機型為二段式加速的Spin Coating，右邊為第一段加速，左邊為第二段加速。
4. 依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉轉盤做塗布的動作。
5.按下【PUMP】鍵，此時旋轉轉盤會吸住基材，然後將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外塗開至適當的量，在做光阻塗開動作時可先用氮氣將旋轉轉盤周圍及基材吹乾凈。
6. 蓋上塗布機的保護蓋，以防止光阻濺出塗布機外。
7. 按下【START】鍵，塗布機便開始做塗布的動作。
8. 塗布完畢後，打開保護蓋，按下【PUMP】鍵旋轉轉盤會放開基材，便可以將基材取出。
熱風循環烘箱
使用操作方法
1. 本機使用電壓110V/60HZ。
2. 確認電壓後，將電源線插入110V的插座。
3. 打開【POWER】開關，此時溫度表PV即顯示箱內實際溫度。
4. 首先按【SET】鍵ÿ，SV會一直閃爍此時即可開始設定溫度，而SV的字幕窗會呈現高亮度，在高亮度的位置可設定所需的溫度，只要再按【SET】鍵ÿ高亮度會隨之移動，在高亮度的地方即可設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵▼則溫度往下遞減。
6. 當完成以上設定溫度之後(SV仍閃爍不停)此時只要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的溫度(PV顯示實際溫度)。
7. 加熱燈OUT顯示燈亮時表示機器正在加熱中，而到達設定點時OUT會一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時表示溫度正自動演算中。
9. ALM-1紅色燈亮時表示溫度過熱(溫度會自動降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮時表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
11. 溫度范圍:40℃~210℃。
② 宜春腐竹烘乾機廠家直銷
主要體現為烘乾機的長短。下片段：將物料終從出料口脫離設備。烘乾機工作原理編輯復合肥烘乾機處理過程示意圖通過電力、柴油力、風力、易燃物力等產生動力利用環境空氣加熱，輸送到貫通周圍，進而達到適當溫度進行除濕處理。具體過程如下：濕物料由皮帶輸送機或斗式提升機送到料斗，然後經料斗的加料機通過加料管道進入加料端。加料管道的斜度要大於物料的自然傾角，以便物料順利流入乾燥器內。乾燥器圓筒是一個與水平線略成傾斜的旋轉圓筒。物料從較高一端加入，載熱體由低端進入，與物料成逆流接觸，也有載熱體和物料一起並流進入筒體的，宜春腐竹烘乾機廠家直銷。隨著圓筒的轉動物料受重力作用運行到較底的一端。濕物料在筒體內向前移動過程中，直接或間接得到了載熱體的給熱，宜春腐竹烘乾機廠家直銷，使濕物料得以乾燥，然後在出料端經皮帶機或螺旋輸送機送出。在筒體內壁上裝有抄板，它的作用是把物料抄起來又撒下，使物料與氣流的接觸表面增大，以提燥速率並促進物料前進。載熱體一般分為熱空氣、煙道氣等。載熱體經乾燥器以後，一般需要旋風除塵器將氣體內所帶物料捕集下來。如需進一步減少尾氣含塵量，宜春腐竹烘乾機廠家直銷，還應經過袋式除塵器或濕法除塵器後再放排放。烘乾機產品特點編輯乾燥強度大，由於物料在氣流中高度分散。南昌邁勁機械設備有限公司百姓價位，貴族享受。宜春腐竹烘乾機廠家直銷
熱空氣門烘乾機下部吹入，穿過烘乾機內的整個切片料層後門器頂排出再循環使用。被烘乾後的切片自燥器底徘出。烘乾機由切片充滿，沮切片從器頂不斷近續加入，器內的切片料柱棺切片本身重力呈活塞式流動，熱空氣白烘乾機下部送入，氣固兩相處逆流接觸，進行熱交換，恢切片中水分得以燕友蒸發出的水蒸氣隨空氣一起排出。烘乾設備節能改造編輯很多烘乾需要採用回轉烘乾機，如煤泥烘乾、酒糟烘乾、牧草烘乾、礦砂烘乾、石英砂烘乾、黃砂烘乾、鑄砂烘乾、碳酸鈣烘乾等等。上述烘乾常見的採用單筒式轉筒烘乾機（單筒式，相對於多層套筒轉筒烘乾機而言），在實際使用中，發現這些單筒式烘乾機普遍能耗較高，相比較流化床、沸騰床乾燥而言，但它又比流化床、沸騰床易控制，易操作。且不易受風力太大的影響。（流化床、沸騰床乾燥容易受風力影響，往往當布袋除塵、水膜除塵等阻力發生變化時，會使流化床、沸騰床性能變差，嚴重時不能使用，而轉筒烘乾機，則影響沒這么大。一句話，轉筒烘乾機比較好使用，對工人要求不高。所以在很多場所，還是使用很多。但高耗能又使用戶頭疼，畢竟是每天白花花的銀子，在無形中就浪費掉。所謂多層套筒式轉筒烘乾機，與常規轉筒烘乾機相比。南昌藍莓烘乾機價格南昌邁勁機械設備有限公司守信用：說到做到，信守承諾。
有一些常見的問題，如原料一次性烘不幹和烘乾機內原料著火的問題。原料一次性烘不幹原因：烘乾機太小；風網風壓、流量計算有誤；烘乾機使用不當。解決方法：增加烘乾機溫度，但此法容易引起烘乾器內著火，方法是更換或重新修改烘乾設備；要求烘乾機廠家重新計算風壓、流量後再根據實際情況提供設計變更方案；與烘乾機廠商協商索取設備說明書學習正確的使用方法。烘乾機內原料著火原因：烘乾機設備使用不當；烘乾機設備太小無法達到烘乾效果而強行加溫引起著火；烘乾機設備設計原理有問題解決方法：與廠商協商索取設備說明書學習烘乾機正確的使用方法；更換或改造烘乾機設備；要求廠家更換或改造烘乾機設備；檢查烘乾機設備是否安裝正確、是否漏氣或增加風壓。烘乾機磨合期烘乾機進入正常的工作前都會有一段的適應期（磨合期，一般為3天），這個時期是確保烘乾機在正式的生產過程中能夠正常的工作運轉，大程度的減少烘乾機出現事故的幾率，在適應期內正確的操作則能延長烘乾機的使用壽命，所以一定要注意這個時期各個操作的細節。一、在適應期開始前烘乾機的操作者應該接受生產廠家關於烘乾機的構造、操作、不同的性能、日常問題的解決方面嚴格的培訓。
烘乾機主要用於選礦、建材、冶金、化工等部門烘乾一定濕度或粒度的物料。烘乾機眾多適用於茶葉、中草葯、玉米、蔬菜、食品、雞糞、礦渣、毛巾被套、鋸末、煤泥、脫硫石膏、復合肥、金銀花、秸稈壓塊燃料、木炭機械、木屑顆粒燃料、鋸末壓塊、農牧業工程等行業。烘乾機的主要類型有，轉筒烘乾機，三回程烘乾機，三筒烘乾機，間歇烘乾機，直熱烘乾機，衣服甩干烘乾機，粉體烘乾機，石料專業烘乾機，全新烘乾機、二手烘乾機、工業烘乾機、茶葉烘乾機、中草葯烘乾機、玉米烘乾機、蔬菜脫水烘乾機、食品烘乾機、雞糞烘乾機、滾筒式烘乾機、轉筒烘乾機、石料烘乾機、回轉烘乾機、焊劑烘乾機、全自動烘乾機、石油烘乾機、電加熱烘乾機、節能烘乾機、服裝烘乾機、毛巾被套烘乾機、電腦智能型烘乾機、蒸汽烘乾機、燃氣烘乾機、煤泥烘乾機、礦渣烘乾機、污泥烘乾機、石英砂烘乾機、沙子烘乾機、粉煤灰烘乾機、脫硫石膏烘乾機、鋸末烘乾機、隧道式烘乾機、脫水烘乾機、復合肥烘乾機、金銀花烘乾機、酒槽烘乾機等。南昌邁勁機械設備有限公司熱情服務，轉變觀念。
1、糧食烘乾機設備結構簡單，體積小，操作方便，無需輔助設備，便於輸送和移動。
2、糧食烘乾機以熱空氣作為乾燥介質，採用循環烘乾工藝，穀物受熱降水均勻、充分、烘後品質好。
3、糧食烘乾機是以煤、稻殼或秸桿作燃料，經過燃燒和換熱轉換為干凈熱空氣，對被烘乾穀物無污染。
4、糧食烘乾機投資小，使用費用低，可自動控制工作過程，自動停機，操作簡單省力，符合中小型農場及農戶的需要。
5、糧食烘乾機配備有自動在線測溫，測濕裝置，自動化程度提燥均勻度好。
6、糧食烘乾機具有清掃方便、徹底，不會混種，特別適合乾燥穀物種子。
南昌邁勁機械設備有限公司資源是會枯竭的，惟有文化生生不息。南昌空氣能熱泵烘乾設備廠家
南昌邁勁機械設備有限公司合而精進，韌而篤行。宜春腐竹烘乾機廠家直銷
好的工作環境及延長烘乾設備使用壽命的重點因素。安裝時應嚴格參閱生產廠家提供使用說明書中安裝內容進行對步操作，切勿順著自己感覺安裝。當安裝時出現問題的時候應予時間與生產廠家進行聯系。布袋除塵器的特點是捕集效率高，可以說在浩繁的氣固分散設置裝備擺設中，它的捕集效率是其它設置裝備擺設所不及的，分外是捕集20μm以下的粒子時越發顯著，效率達到99%以上。粉煤灰烘乾機裝備布袋除塵器可將旋風除塵器未捕集的細粉微粉二次接納，防備粉塵排入大氣形成資源浪費和情況污染。粉煤灰烘乾機必要選擇高效的布袋除塵器，布袋除塵器（袋濾器或袋式除塵器）經常作為從乾燥尾氣中分散粉狀產品的後一級氣固分散設置裝備擺設，是截留尾氣中粉體的後一道防地。伴隨資源的稀缺和能源的潰乏，各行各業對節約能源低耗低損，合理的利用能源提出了不少的要求，採取了很多的切實可行的措施和政策，尤其是對一些國家基礎行業和重點行業如煤炭業、電力行業、水資源的利用已經是廠礦企業必須要重視的環節，現對烘乾設備乾燥設備上體現節能降耗低損失作下簡要說明：熱源的選擇應首先考慮節能和低耗這是為關鍵的烘乾設備是一個利用熱能對含水率很高的物料進行乾燥的裝置。宜春腐竹烘乾機廠家直銷
南昌邁勁機械設備有限公司位於華南城7號館D區3樓194號。公司業務涵蓋烘乾機，烘乾設備，，等，價格合理，品質有保證。公司從事機械及行業設備多年，有著創新的設計、強大的技術，還有一批的專業化的隊伍，確保為客戶提供良好的產品及服務。南昌邁勁機械設備立足於全國市場，依託強大的研發實力，融合前沿的技術理念，飛快響應客戶的變化需求。